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IRF7526D1
Power Mosfet Characteristics
400
V GS
=
0V, f = 1MHz
20
I D = -1 .2 A
C is s
=
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
300
C rs s
C oss
=
=
C gd
C ds + C gd
16
V D S = -24 V
V D S = -15 V
C iss
C o ss
12
200
8
C rss
100
4
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
2
4
6
S E E FIG U R E 9
8 10
12
A
10
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10
T J = 1 50 °C
1
T J = 2 5 °C
100μs
1
T A = 25 °C
T J = 15 0°C
1m s
10m s
0.1
V G S = 0V
A
0.1
S ing le P u lse
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
4
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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